一种自选通存储器.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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一种自选通存储器.pdf

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本发明涉及一种自选通存储器，包括上电极(2)、与上电极(2)相接触的上介质层(3)、下电极(6)、与下电极(6)相接触的下介质层(5)以及夹设于所述上介质层(3)和下介质层(5)之间的开关材料层(4)。本发明减少了非标工艺的数量，器件开关与存储阵列的高度显著降低，与CMOS工艺兼容性提高，更容易三维集成存储阵列层数增加，功耗降低、存储速度加快；不仅减少材料结构变化损伤，而且对热窜扰显著改善，通过二合一单元上的串联电阻可以增加正、反向阈值电压的电压差、进一步提高其可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116367580 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310311669.1 (22)申请日 2023.03.28 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术