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本发明实施例涉及晶体管技术领域，公开了氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法。本发明实施例提供的氮掺杂石墨烯场效应晶体管的制造方法，先将待处理石墨烯场效应晶体管浸入含氮溶液中，通过激光辐照含氮溶液中的待处理石墨烯场效应晶体管的暴露沟道，以得到氮掺杂石墨烯场效应晶体管。可见，本发明实施例将通过使用激光辐照含氮溶液中的待处理石墨烯场效应晶体管的暴露沟道的方式来制造氮掺杂石墨烯场效应晶体管，制造性能表现较好，解决了难以较好地进行掺杂操作的技术问题；同时，由于不需要进行高温加热，可以避免高温热处理对石墨烯F
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725073 A
(43)申请公布日
2021.11.30
(21)申请号 20201
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