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- 2023-07-01 发布于四川
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本发明提供了一种三维存储器的制作方法。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体，堆叠体的至少一端具有台阶结构；在衬底上形成覆盖台阶结构的层间介质层；在层间介质层上形成流体薄膜，使流体薄膜远离衬底的一侧具有第一表面；将流体薄膜固化，得到具有第二表面的平坦层；沿第二表面对层间介质层进行平坦化处理。在层间介质层上形成流体薄膜后，平坦化工艺的对象由现有技术中层间介质层的倾斜表面变成流体薄膜固化后得到的平坦层的平整表面，从而降低了平坦化工艺的难度，保证了表面处理后衬底表面的平整性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725227 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110950419.3
(22)申请日 2021.08.18
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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