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本发明的各种实施例涉及用于形成图像传感器的方法,其中,器件层覆盖在衬底上并且具有不同于衬底的半导体材料,并且其中,器件层具有高晶体质量。该方法的一些实施例包括:在衬底上外延生长器件层;图案化器件层以形成将器件层分为与像素相对应的台面结构的沟槽;形成填充沟槽并且分离台面结构的像素间介电层;以及在台面结构中形成光检测器。该方法的其他实施例包括:在衬底上方沉积像素间介电层;图案化像素间介电层以形成与像素相对应的腔;在腔中外延生长台面结构;以及在台面结构中形成光检测器。根据本申请的其他实施例,还提供了图
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725241 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110184179.0
(22)申请日 2021.02.08
(30)优先权数据
16/988,95
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