常用半导体器件.pptxVIP

常用半导体器件;;第一章 常用半导体器件; 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将它们划分为导体、绝缘体和半导体(Semiconductor)。;12’（300mm）;1、掺杂性： 半导体中掺杂后，其电阻率大大下降，晶体管。;常用半导体材料有: 硅（Si）、锗（Ge），也有三-五族化合物半导体：GaAs、GaP等;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识; 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子获得能量，部分电子挣脱原子核的束缚，成为自由电子，与此同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴(hole) ;c. 空穴导电;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;本征半导体中掺入五价 杂质元素(磷、砷等);例：在T=300K的条件下，本征硅中掺亿分之一的5价原子，硅原子的浓度已知为5.1×1022 /cm3 ，对比掺杂前后的自由电子和空穴浓度。; 掺入五价元素的结果是自由电子变多，空穴变少， 载流子总的浓度增加，导电能力大大增强,而且导电能力由多子决定.; 在N型半导体中，自由电子数目远多于空穴数目 自由电子为多数载流子(majority carrier)，简称：多子 空穴为少数载流子(minority carrier)，简称：少子;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;P、N半导体结合→;随着空间电荷区的增加;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;1.1 半导体基础知识;②扩散电容 正偏时，PN结耗尽层两侧存在非平衡少子的堆积现象，堆积的数量随正偏的增加而增加，这也相当于电容的充放电。;对器件的高频特性有很大的影响;1.1 半导体基础知识;思考题：;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;; 例2：电路如下图所示，已知ui＝5sinωt（V），二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uo的波形。;1.2 半导体二极管;微变电阻 的计算：;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.2 半导体二极管;1.3 双极型晶体管;1.3.1 BJT的结构简介;三极管的结构特点:;1.3.2 BJT的电流分配与放大原理;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;一、共发射极输入特性：;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;三极管工作状态总结;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;1.3 双极型晶体管;温度上升时,ICEO 增大,输出特性曲线上移; β增加,间距增大;感谢观看!