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实施方式提供能够提高动作可靠性的半导体装置。在一个实施方式的半导体装置中,第1绝缘膜配置在第1导电层与第1电极膜之间。第1绝缘膜包括第1部分、第2部分及第3部分。第1部分将第1电极膜中的与第1导电层相对向的面覆盖。第2部分从第1部分的上端起在第3方向上延伸,将第1电极膜的上表面覆盖。第3方向是与第1方向和第2方向垂直的方向。第3部分从第1部分的下端起在第3方向上延伸,将第1电极膜的下表面覆盖。在第1层叠体中的第1导电层和半导体膜交叉的位置设置有第1存储单元。在设置有第1存储单元的位置处,第3方向
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116367549 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202210862605.6
(22)申请日 2022.07.21
(30)优先权数据
2021-207790 202
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