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- 2023-07-01 发布于四川
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本发明提供了一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法，包括(Ti,Zr,Hf)B2、BN和B4C，采用氧化物原料、B4C粉体利用氮化硅球磨介质球磨混合加压烧结而成。本发明的技术方案工艺简单，合成复相粉体和制备的陶瓷氧含量低，且晶粒小、粒径分布均匀，所制备的中熵陶瓷基复相材料在高温具有优良的强度和韧性等力学性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116354730 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202310337520.0
(22)申请日 2023.03.31
(71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所
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