一种三元共晶靶材及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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本发明公开了一种三元共晶靶材及其制备方法,包括A组分、B组分和C组分粉末,A组分含量为30~50mol%,B组分含量为10~50mol%,C组分含量为20~40mol%,所述A组分为B4C粉末,B组分为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2粉末,C组分为SiC粉末。本发明制备的共晶靶材具有更高的致密度,含有更多的元素种类,相分散更均匀,单个靶材就可以引入四种元素,能够减少多元涂层制备时所需工作靶位的数量,降低了镀膜的功耗以及镀膜装备的成本;本发明三元共晶靶材具有良好的导电导热性,可作为

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113718216 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202110955085.9 (51)Int.Cl.

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