垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法.pdf

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本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LE

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364745 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310288997.4 H01L 33/32 (2010.01)