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本发明实施例提供一种半导体装置，半导体装置包括有源区、栅极结构、源极/漏极接点、介电结构和气隙，有源区包括通道区以及与通道区相邻的源极/漏极区。栅极结构位于有源区的通道区上。源极/漏极接点位于源极/漏极区上。介电结构位于栅极结构上，且介电结构包括与栅极结构相邻的下侧部分以及远离栅极结构的上侧部分。气隙位于栅极结构与源极/漏极接点之间。介电结构的上侧部分沿着第一方向的第一宽度，大于介电结构的下侧部分沿着第一方向的第二宽度。气隙位于介电结构的上侧部分之下。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725276 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110377063.9
(22)申请日 2021.04.08
(30)优先权数据
16/935,06
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