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多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法.pdf

    本发明涉及一种多源MOS管共用栅极的芯片结构及其制造方法，结构包括漏极衬底、柵极填充体、位于柵极填充体之间的源极填充体、漏极衬底上的源极覆盖层以及由漏极衬底背面设置的半导通孔结构。源极覆盖层接受柵极填充体的第一高度段驱动通过第二有源层导通到半导通孔结构与漏极衬底的背面,以构成第一MOS管结构;源极填充体接受柵极填充体的第二高度段驱动通过第一有源层导通到漏极衬底的背面,以构成第二MOS管结构。本发明提供的场效晶体管架构具有多源MOS管共用柵极实现MOS器件密集化且不受到二次开槽因沟槽深度差异影响电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113725300 B (45)授权公告日 2022.04.26 (21)申请号 202111006493.6 H01L 27/088 (2006.01)

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