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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供了一种氮化镓基绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括：n型集电区；p型基区，设置于n型集电区上，露出部分n型集电区；n型发射区，设置于p型基区上，露出部分p型基区；压控沟道层，设置于部分n型集电区上；接触层，设置于压控沟道层上；内电极金属层，设置于部分p型基区和部分接触层上。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725294 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111028226.9
(22)申请日 2021.09.02
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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