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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供了一种改善NAND闪存有源区光刻显影缺陷的方法，应用于半导体领域，所述方法通过在核心有源区的高深宽比的侧墙间隙中填充有机介电层，避免光刻胶与侧墙直接接触，从而在有机介电层上涂覆光刻胶，并进行曝光显影以形成图案化的光刻胶层时，避免对光刻胶显影后产生遗留在侧墙间隙中的显影残留物，进而可避免光刻胶显影缺陷的产生。进一步地，使有机介电层的顶面与所述侧墙的顶面齐平，进而在后续可以以等高的侧墙和有机介电层为掩膜继续向下刻蚀，由此保证待图形化层中形成的图形的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725081 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111006790.0
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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