原创力文档- 5
- 0
- 约1.46万字
- 约 12页
- 2023-07-02 发布于四川
- 举报
本发明提出了一种基于SiGe‑BiCMOS工艺的四级差分共射共基噪声放大器，基于区别于现行通用的GaAsCMOS工艺的SiGeBiCMOS工艺，SiGeBiCMOS产品具有更低的功耗、更小的体积和更高的集成度，而且可以和其他电路集成在一起，同时SiGeBiCMOS工艺的发展也使得这种电路实现更加可行，电路成本更低；本发明包括输入匹配网络、第一级、第二级、第三级、第四级差分结构电路。本发明与四级单端结构的低噪声放大器相比，具有更好的抗噪声能力，并且可以在较低的频率下获得更高的增益；本发明与
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113726299 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111291097.2
(22)申请日 2021.11.03
(71)申请人 成都
文档评论（0）