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高可靠性功率半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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高可靠性功率半导体器件及其制作方法.pdf

    本发明提供一种高可靠性功率半导体器件，包括第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层的表面设置条形的互相平行且均匀分布的第一类沟槽，在所述第一类沟槽的外围环绕着第二类沟槽；在对器件的俯视角度，在第一类沟槽的两端的尽头，在第一类沟槽的上方设有第二类绝缘介质层，在所述第二类绝缘介质层的上方设有栅极金属，所述栅极金属通过第二类绝缘介质层内的第三类通孔与第二类导电多晶硅欧姆接触；在对器件的俯视角度，在第二类通孔对应的下方的第一导电类型外延层的底部设有第一

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113745339 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 202111041199.9 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2021.0

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