半导体工艺以及半导体结构.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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半导体工艺以及半导体结构.pdf

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本申请提供了一种半导体工艺以及半导体结构，该半导体工艺包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的层叠结构，层叠结构包括交替设置的牺牲层和绝缘介质层；至少在层叠结构的裸露表面上形成图形化掩膜层，图形化掩膜层由多个相同的沟道孔图案构成，任意相邻的沟道孔图案之间的距离相同；以图形化掩膜层为掩膜，刻蚀层叠结构，形成多个沟道孔；去除图形化掩膜层。该半导体工艺保证了形成的多个沟道孔的关键尺寸相同，且相邻的沟道孔之间的间距相同，保证了各沟道孔的均一性，避免了现有技术中3DNAND制作过程中，刻蚀得到的沟道孔

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725223 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111007843.0 (22)申请日 2021.08.30 (71)申请人长江存储科技有限责任公司