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- 2023-07-02 发布于四川
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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种提高读可靠性的SRAM存储单元。该SRAM存储单元包括：锁存电路，所述锁存电路用于存储数据；写操作控制传输电路，所述写操作控制传输电路连接所述锁存电路，用于对所述锁存电路进行写操作，控制所述锁存电路形成不同的数据状态；读操作控制传输电路，所述读操作控制传输电路连接锁存电路输出端，用于对所述锁存电路进行读操作，读出所述锁存电路的数据状态。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113724754 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110994581.5
(22)申请日 2021.08.27
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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