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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明公开了一种信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明提供了一种新型的信息存储材料用氨基吡啶基氯化Co(II)化合物，合成方法简单、合成条件温和。该氨基吡啶基氯化Co(II)化合物具有良好的耐空气水分稳定性，有良好的挥发性和热稳定性，具有良好的成膜性能。本发明以氨基吡啶基氯化Co(II)化合物作为CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Co基薄膜如Co金属薄膜等，大大降低了前驱体材料的成本；该前驱体材料所具有的良好
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113717233 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111171426.X C23C 16/18 (2006.01)
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