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一种提高硅外延生长速率的方法，反应腔体基座升温；通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料；用氢气将反应副产物排除；将硅衬底片装在反应腔体的基座上，基座升温；用氢气将硅衬底片和基座挥发出的各类杂质排除；氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料，在硅衬底片表面上进行硅外延层的生长；用氢气将生长过程中的反应副产物排除出反应腔体；待硅外延片温度后取出。本发明大幅提高了150~200mm硅外延片的生产效率，显著降低了工艺时间和维护成本，而且工艺简单，可操作性强，是适用于硅外延层厚度高于150μm的极厚层硅外延片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113737276 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202111005605.6 C30B 25/14 (2006.01)
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