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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供了一种光纤忆阻单元。该光纤忆阻单元，包括单模光纤、光学相变材料薄膜和防氧化增反膜。其中，所述光学相变材料薄膜位于单模光纤端面，防氧化增反膜位于光学相变材料后。该单模光纤忆阻单元的反射率在脉冲光的加载下表现出有高低反射率的变化，并具有非易失性效应，实现非易失性全光存储。该单模光纤忆阻单元可以用作一种全光调控的光纤存储器件，具备存储速率高、能耗低以及抗电磁干扰等优点，能与光纤通信网络、光纤传感网络兼容，具有重要的应用潜力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113724757 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111020392.4
(22)申请日 2021.09.01
(71)申请人 哈尔滨工程大学
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