半导体物理知识点及重点习题总结.pdfVIP

百学须先立志。——朱熹 半导体物理知识点及重点习题总结 基本概念题： 第⼀章半导体电⼦状态 1.1 半导体 通常是指导电能⼒介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的⼩许多。 1.2能带 晶体中，电⼦的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。这些区间在能级图中表现 为带状，称之为能带。 1.3导带与价带 1.4有效质量 有效质量是在描述晶体中载流⼦运动时引进的物理量。它概括了周期性势场对载流⼦运动的影响，从⽽使外场⼒与加速度的关 系具有⽜顿定律的形式。其⼤⼩由晶体⾃⾝的E-k 关系决定。 1.5本征半导体 既⽆杂质有⽆缺陷的理想半导体材料。 1.6空⽳ 空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相 反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。它引起的假想电流正好等于价带中的电⼦电流。 1.7空⽳是如何引⼊的，其导电的实质是什么？ 答： 空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相 反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。 这样引⼊的空⽳，其产⽣的电流正好等于能带中其它电⼦的电流。所以空⽳导电的实质是能带中其它电⼦的导电作⽤，⽽事实 上这种粒⼦是不存在的。 1.8 半导体的回旋共振现象是怎样发⽣的 （以n型半导体为例） 答案： ⾸先将半导体置于匀强磁场中。⼀般n型半导体中⼤多数导带电⼦位于导带底附近，对于特定的能⾕⽽⾔，这些电⼦的有效质 量相近，所以⽆论这些电⼦的热运动速度如何，它们在磁场作⽤下做回旋运动的频率近似相等。当⽤电磁波辐照该半导体时， 如若频率与电⼦的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收⾮常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。这就 是回旋共振的机理。 1.9 简要说明回旋共振现象是如何发⽣的。 半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电⼦在磁场作⽤下运动 吾日三省乎吾身。为人谋而不忠乎？与朋友交而不信乎？传不习乎？——《论语》 海纳百川，有容乃大；壁立千仞，无欲则刚。——林则徐 运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ，回旋频率为 当晶体受到电磁波辐射时， 在频率为时便观测到共振吸收现象。 1.10 直接带隙材料 如果晶体材料的导带底和价带顶在k 空间处于相同的位置，则本征跃迁属直接跃迁，这 样的材料即是所谓的直接带隙材料。 1.11 间接带隙材料 如果半导体的导带底与价带顶在k 空间中处于不同位置，则价带顶的电⼦吸收能量刚好达到导带底时准动量还需要相应的变化 sin v B f qv B f qvB qv B θθ⊥=-?== 与夹⾓c ω2 *2* * ,// / /c n n c n v r a v r m v r qv B m qBr v qB m ωω⊥⊥⊥⊥⊥==?=?=?=向⼼加速度c ω 第⼆章半导体杂质和缺陷能级 2.1 施主杂质受主杂质 某种杂质取代半导体晶格原⼦后，在和周围原⼦形成饱和键结构时，若尚有⼀多余价电⼦，且该电⼦受杂质束缚很弱、电离能 很⼩，所以该杂质极易提供导电电⼦，因此称这种杂质为施主杂质；反之，在形成饱和键时缺少⼀个电⼦，则该杂质极易接受 非淡泊无以明志，非宁静无以致远。——诸葛亮 常将有日思无日，莫待无时思有时。——《增广贤文》 ⼀个价带中的电⼦、提供导电空⽳，因此称其为受主杂质。 2.1替位式杂质 杂质原⼦进⼊半导体硅以后，杂质原⼦取代晶格原⼦⽽位于晶格点处，称为替位式杂质。形成替位式杂质的条件：杂质原⼦⼤ ⼩与晶格原⼦⼤⼩相近 2.1间隙式杂质 杂质原⼦进⼊半导体硅以后，杂质原⼦位于晶格原⼦间的间隙位置，称为间隙式杂质。 形成间隙式杂质的条件： （1）杂质原⼦⼤⼩⽐较⼩ （2）晶格中存在较⼤空隙 形成间隙式杂质的成因 半导体晶胞内除了晶格原⼦以为还存在着⼤量空隙，⽽间隙式杂质就可以存在在这些空隙中。 2.1 杂质对半导体造成的影响 杂质的出现，使得半导体中产⽣了局部的附加势场，这使严格的周期性势场遭到破坏。从能带的⾓度来讲，杂质可导致导带、 价带或禁带中产⽣了原来没有的能级 2.1 杂质补偿 在半导体中同时存在施主和受主时，施主能级上的电⼦由于能量⾼于受主能级，因⽽⾸先跃迁到受主能级上，从⽽使它们提供 载流⼦的能⼒抵消，这种效应即为杂质补偿。 2.1 杂质电离能 杂质电离能是杂质电离所需的最少能量，施主型杂质的电离能等于导带底与杂质能级之差，受主型杂质的电离能等于杂