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本申请提供了一种多晶硅层、其制作方法以及半导体器件。该制作方法包括:在基底上沉积非晶硅层;在预定温度下,向非晶硅层中注入预定离子,以打断非晶硅层中的Si‑H键,且使得H溢出非晶硅层;对非晶硅层进行退火处理,形成多晶硅层。通过离子注入的方式打断非晶硅层中的Si‑H键,使H溢出非晶硅层,减少或者避免后续在退火过程中,由于温度较高使得H聚集而导致气泡或者剥落等缺陷的产生,从而减少现有技术中的非晶硅层在退火过程中形成的缺陷。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745099 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202111040563.X
(22)申请日 2021.09.06
(71)申请人 长江
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