半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-07-03 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和第二区域的隔离结构，所述隔离结构包括与所述第一区域相邻的第一隔离部及与所述第二区域相邻的第二隔离部，所述第一隔离部的顶面与所述第二隔离部的顶面之间通过斜面连接；残余介质层，位于部分所述第一隔离部、部分第二隔离部以及所述斜面的表面；阻挡层，覆盖所述残余介质层的表面；侧墙，覆盖所述阻挡层及残余介质层的侧壁。本申请的半导体结构能够解决残余介质层的金属污染问题。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764505 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 20201