半导体结构以及半导体结构的制造方法.pdfVIP

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2023-07-03 发布于四川
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半导体结构以及半导体结构的制造方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构的制造方法，包含以下步骤：提供基底；形成沟槽于基底中；形成第一氧化层以及第一多晶硅元件于沟槽中，其中第一多晶硅元件与基底之间具有开口；形成第二氧化层覆盖基底以及第一多晶硅元件；形成氮化层于第一氧化层以及该第二氧化层上；移除位于开口底部的氮化层的一部分，以暴露出第一氧化层的顶表面的一部分；移除位于开口下方的第一氧化层的一部分，以形成凹陷部，其中该凹陷部暴露出第一多晶硅元件的一部分；实行热氧化工艺，使第二氧化层延伸覆盖经暴露的第一多晶硅元件的一部分，并使该凹陷部具有一圆角；移

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764524 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110409620.0 (22)申请日 2021.04.16 (30)优先权数据