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本发明涉及一种基于离子注入的冷子管开关及其制备方法,冷子管开关包括门线和控制线,所述控制线与所述门线平行并叠加于所述门线上,所述门线的材料为通过离子注入方法得到的超导薄膜。本发明的基于离子注入的冷子管开关,采用离子注入方法得到的超导薄膜作为冷子管开关的门线材料,可以对超导薄膜的临界温度和临界磁场进行连续性调控,因此可以根据冷子管开关所需的工作参数来选择相应注入浓度的超导薄膜,从而使冷子管开关的工作参数具有灵活性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764569 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111039268.2
(22)申请日 2021.09.06
(71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术
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