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本发明公开了一种超结器件,电荷流动区中包括由第一P型柱和第一N型柱交替排列形成的第一超结结构。在沿第一P型柱的宽度方向上,第一P型柱和第一N型柱继续交替排列进入到第一终端区。在沿第一P型柱的长度方向上,电荷流动区的各第一P型柱和第一N型柱直接延伸到第二终端区的部分区域即直条形区中,在直条形区外侧为回字形区。直条形区的宽度根据超结器件耐压时在第二终端区中的耗尽区展宽宽度进行设置。回字形区中设置有由第二P型柱和第二N型柱交替排列的第二超结结构。本发明能同时兼容全直条形和回字形的超结结构的优点并克服二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782584 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110896257.X
(22)申请日 2021.08.05
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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