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本发明提供一种随机存储器磁旋存储芯片的制备方法，包括完成底电极后，采用金属沉积的方式制备SOT层；采用光刻及刻蚀方式制备凹槽；进行自由层的薄膜沉积及化学机械研磨进行表面平坦化；之后进行磁性遂穿结构的参考层和隔离层的薄膜沉积；顶层电极的制备。本发明通过SOT层的制备对磁性遂穿结构的自由层进行包裹，增加有效电流对其的力矩作用，降低翻转需要的电流密度，减小芯片能耗，同时增加写入速度；通过绝缘介质层可以防止光刻胶与SOT层发生反应，绝缘介质层也可以充当化学机械平坦化的停止层，增加工艺窗口。由于自由层是采
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793897 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202110953401.9
(22)申请日 2021.08.19
(71)申请人 苏州
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