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带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法.pdfVIP

带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法.pdf

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    本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及带有沟槽型屏蔽结构的半导体器件及其制造方法。器件包括：有源区和终端保护区，终端保护区位于有源区的外周；终端保护区中形成沟槽型屏蔽栅结构；沟槽型屏蔽栅结构，包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽从终端保护区位置处的基底层上表面向下延伸；屏蔽栅氧化层，屏蔽栅氧化层依照带有屏蔽栅沟槽的终端保护区表面形貌，覆盖在终端保护区位置处的基底层表面，在屏蔽栅沟槽位置处形成屏蔽栅多晶硅容置空间；屏蔽栅多晶硅结构，屏蔽栅多晶硅结构包括填充在屏蔽栅多晶硅容置空间中的第一屏蔽栅多晶硅

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782432 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202110897248.2 (22)申请日 2021.08.05 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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