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本发明公开了一种超结屏蔽栅沟槽MOSFET结构，衬底的N+漏区上设有N‑辅助层，N‑辅助层上方两侧为超结区，每侧超结区上方的P体区靠内设有一个N+源区，在P体区和N+源区的上表面共同设有源极电极S；两个N柱区及其上方的P体区中央设有深沟槽，深沟槽底部位伸进N‑辅助层内；深沟槽内的上方设有栅极G，其四周为二氧化硅层；下方设有屏蔽栅极SG，其两侧及底部为二氧化硅层，且屏蔽栅极SG在三维方向上与源极S相连；在N+漏区下表面设有漏极电极D。本发明还公开了另一种SJSGT*结构及该两种结构的制作方法。本发
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782612 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111135884.8
(22)申请日 2021.09.27
(71)申请人 西安理工大学
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