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本发明涉及石墨烯技术领域,且公开了一种具有均一层厚的单层平整石墨烯,将紫铜箔进行预处理,然后在惰性气体氛围中干燥,干燥后的铜箔置于石英管中,用法兰密封石英管两端后用真空泵抽至50Pa,然后通入Ar至常压,接下来对石英管进行热处理,使石墨烯在紫铜箔上生长。该具有均一层厚的单层平整石墨烯,通过优化的化学气相沉积法在铜基底上生长出了石墨烯薄膜,石墨烯薄膜大部分区域为单层,且结晶程度高,缺陷小,经转移后获得了大面积的石墨烯薄膜,薄膜具有良好的透光性,同时导电性优良,相比现有技术之别效果更佳。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113772662 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111088403.2
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 上海巴库斯超导新材料有限公司
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