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本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片及其制备方法，所述LED外延结构包括：生长衬底；电流扩展层，设置于所述生长衬底的上方，所述电流扩展层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一子层和第二子层，所述第一子层的带隙高于所述第二子层的带隙；外延层，设置于所述第二子层的上方，且所述外延层在所述生长衬底的厚度方向上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。本发明的电流扩展层能够增加电流的横向扩散能力，提高LED外延结构的亮度以及抗静电能力，改善LED外延结构的正向电压，有利于器件的可靠性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793887 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202110973917.X
(22)申请日 2021.08.24
(71)申请人 天津三安光电有限公司
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