一种晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种晶体管及其制作方法.pdf

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本发明涉及一种晶体管及其制作方法，所述述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上方生长外延层；在所述外延层内形成沟槽，所述沟槽贯穿所述外延层与所述衬底连接，所述沟槽在平行于所述衬底表面的方向上以非直线的形状延伸；在所述沟槽侧壁上形成侧墙；在所述沟槽内形成第二导电类型的发射区；除去所述侧墙，形成基区沟槽；在所述基区沟槽内形成第一导电类型的基区。通过上述方法形成的晶体管成本低，且放大系数高。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109037314 A (43)申请公布日 2018.12.18 (21)申请号 20181