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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该方法包括获取衬底，衬底上形成有第一器件区域和第二器件区域，以及高k栅介电层薄膜；在衬底上形成覆盖在第二器件区域的高k栅介电层薄膜上的阻挡层结构；在衬底上形成包括第一金属元素的覆盖层薄膜；通过退火工艺使得覆盖层薄膜中的第一金属元素向第一器件区域的高k栅介电层薄膜扩散，阻挡层结构阻止第一金属元素向第二器件区域的高k栅介电层薄膜扩散；其中，第一器件区域和第二器件区域为导电类型相反的器件区域。本申请使得第一器件区域与第二器件区域的高k栅介电层的介电常数不同的工艺步
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809012 A
(43)申请公布日
2021.12.17
(21)申请号 20201
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