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半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

    本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上的介质层；位于衬底上的密封环结构，密封环结构包括至少两个间隔设置的环状密封环以及位于环状密封环之间的连接结构，环状密封环贯穿介质层，且连接结构连接相邻两个环状密封环，以将位于相邻两个环状密封环之间的介质层隔断，从而能够减小密封环结构形成过程中的刻蚀应力，以避免密封环结构错位而影响密封环结构的水氧阻隔性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809019 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111080778.4 (22)申请日 2021.09.15 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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