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具有多保护环结构的萧特基二极管.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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具有多保护环结构的萧特基二极管.pdf

    一种具有多保护环结构的萧特基二极管，包含一半导体基层、一背金属层、一外延层、一介电层、一第一金属层、一钝化层与一第二金属层。其中，外延层堆叠于半导体基层，包含一终端沟槽结构、一第一离子布植保护环、一第二离子布植保护环及一第三离子布植保护环。介电层是在一终止区内堆叠于外延层。第一金属层堆叠于终端沟槽结构与介电层，并开设有一沟槽。钝化层堆叠于第一金属层与介电层。第二金属层堆叠于第一金属层与钝化层。通过第一离子布植保护环、第二离子布植保护环与第三离子布植保护环的宽度依序递减，有效的使电压步阶地分布。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809143 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 20201

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