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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明涉及半导体加工技术领域,具体公开了一种耐腐蚀涂层形成方法,通过在制备涂层装置中的真空反应腔内设置多个增强源,调控分子流的运动方向,解决了现有技术中衬底侧壁涂层结构疏松,容易脱落的缺陷;进一步地,本发明还提供了一种等离子刻蚀零部件和反应装置,通过所述涂层形成方法在反应装置的反应腔内壁表面和等离子刻蚀零部件表面进行耐腐蚀涂层涂覆,得到在不同特征表面都具有结构致密的耐腐蚀涂层涂覆的等离子刻蚀零部件;所述零部件应用在等离子体反应装置中,由于其表面涂层结构致密不易脱落,从而提高了工件服役寿命,提升了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808935 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202010548424.7
(22)申请日 2020.06.16
(71)申请人 中微半导体设备(上海)股份有限公
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