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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开的实施例描述了具有正侧和背侧电源互连的结构。该结构包括设置在衬底中的晶体管结构，其中晶体管结构包括源极/漏极(S/D)区。该结构还包括在衬底的顶面之上的正侧电源线，其中正侧电源线电连接到电源金属线。该结构还包括衬底的底面之下的背侧电源线。正侧金属通孔将正侧电源线电连接到S/D区的正面。背侧金属通孔将背侧电源线电连接到S/D区的背面。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116390474 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310180087.4 (22)申请日 2023.03.01 (30)优先权数据

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