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形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件.pdf

    本申请公开了一种形成多晶硅栅的方法以及包括该多晶硅栅的半导体器件。该方法包括：通过在衬底内形成器件绝缘区域将衬底分割成高压器件区域和低压器件区域；在高压器件区域形成凹槽；在衬底上形成栅极氧化层；在栅极氧化层上沉淀多晶硅层；以及刻蚀去除多晶硅层的至少一部分，以使得多晶硅层对应于低压器件区域的部分的厚度不同于其对应于高压器件区域的部分的厚度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809009 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111097139.9 (22)申请日 2021.09.18 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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