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本发明揭示制造半导体装置的天线二极管电路,其揭示至少一种方法、设备及系统涉及用于半导体装置的天线二极管设计。提供操作性耦合至接地节点并耦合至充当隔离的p型阱的p型阱层的第一共用二极管,该隔离的p型阱是在深n型阱区上方形成,该深n型阱区相邻于半导体装置中的n型阱。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至该半导体装置的第一信号线的第一天线二极管,用于释放该第一信号线上的累积电荷。提供在该隔离的p型阱上形成并操作性耦合至该p型阱层且操作性耦合至半导体装置的第二信号线的第二天线二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107919352 A
(43)申请公布日
2018.04.17
(21)申请号 20161
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