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碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法.pdf

    本发明公开了一种碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法，该器件包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与凹槽结构延伸方向一致，所述微米线包括铝镓氮层和氮化镓层；氮化铝缓冲层，形成在所述凹槽结构的铝镓氮层内部；电极，设置在所述多条微米线和所述二氧化硅绝缘层上方且与所述凹槽结构方向垂直，其中，所述凹槽结构的横截面为长方形，所述微米线的横截面的形状为梯形。该器

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809153 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110920167.X (22)申请日 2021.08.11 (71)申请人 浙江芯国半导体有限公司

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