碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法.pdf

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碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110383489 A (43)申请公布日 2019.10.25 (21)申请号 20188