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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法，制造的屏蔽栅MOSFET在第一多晶硅下方的介质层包括第一氧化层、第一氮化硅和第二氮化硅，第一多晶硅侧面的介质层包括第一氧化层和第二氮化硅，也就是说，屏蔽栅下方的介质层厚度比侧面的介质层厚度更大，因此可弱化沟槽底部的电场强度，避免了现有技术中存在的沟槽底部电场更强的问题，因而本案提高了MOSFET击穿电压。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808949 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111168040.3
(22)申请日 2021.09.30
(71)申请人 深圳市芯电元科技有限公司
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