一种侧阳极真空沟道纳米间隙三极管及制备方法.pdfVIP

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2023-07-05 发布于四川
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一种侧阳极真空沟道纳米间隙三极管及制备方法.pdf

本发明公开了一种侧阳极真空沟道纳米间隙三极管及其制备方法，所述纳米间隙三极管，包括阴极、阳极、栅极以及氧化物绝缘层；纳米间隙指阳极与栅极之间的距离保持在300nm以内；纳米间隙三极管，指器件具有和传统场效应晶体管相近似的电学特性，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空纳米电子器件，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113793789 A (43)申请公布日 2021.12.14 (21)申请号 202111067343.6 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人东南

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