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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明提供一种发光二极管及其制备方法，本发明的发光二极管的外延层包括第一半导体层、有源层及第二半导体层，第一半导体层和/或第二半导体层的边缘形成有台面，台面上设置有绝缘层，避免了电子与空穴流经外延层的边缘而产生非辐射复合，使更多的电子与空穴发生辐射复合，能量更多地以光子的形式释放出来，从而提高发光二极管的出光效率；另外，由于绝缘层对电流的阻挡，也避免了电流流经发光二极管的边缘，从而在一定程度上改善了发光二极管的漏电问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113659050 A
(43)申请公布日 2021.11.16
(21)申请号 202110940181.6
(22)申请日 2021.08.17
(71)申请人 天津三安光电有限公司
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