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一种富含硫空位的高指数晶面GO@Cd1-xZnxS多面体材料及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种富含硫空位的高指数晶面GO@Cd1-xZnxS多面体材料及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种富含硫空位的高指数晶面GO@Cd1‑xZnxS多面体材料及其制备方法，富含硫空位的Cd1‑xZnxS固溶体多面体显露高指数晶面，其表面被氧化石墨烯(GO)包覆。首先将CdCl2·2.5H2O、ZnCl2、乙二醇混合，加热搅拌形成均匀透明的液体，再加入Na2S·9H2O，搅拌均匀；将得到的混合物转移到瓷舟中，置于管式炉内，在氮气气氛下加热至300‑700℃，保温1‑6h，通过一步热解碳化‑耦合协同反应，Cd1‑xZnxS多面体生成与氧化石墨烯壳层的生长和界面耦合一步完成，得到的富含

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113634244 A (43)申请公布日 2021.11.12 (21)申请号 202110976037.8 B01J 37/20 (200

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