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本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。一种薄膜晶体管的制备方法,包括:提供衬底,所述衬底包括层叠的硅层和介电层;在所述介电层上放置第一掩模板,所述第一掩模板具有镂空的图案;然后沉积有源材料,使其至少填充所述第一掩模板中的镂空区域,从而形成有图形的有源层,再移除所述第一掩模板;之后在所述有源层上形成电极阵列,得到薄膜晶体管。本发明利用掩膜板制作有源层,省去了沉积光刻胶、光刻胶图形化、有源材料腐蚀等步骤,从而避免了有源层的污染、磨损等问题,提高了器件良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113808952 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110932262.1 C23C 14/04 (2006.01)
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