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基于双拓扑角态的二次谐波产生装置和方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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基于双拓扑角态的二次谐波产生装置和方法.pdf

    本发明公开了一种基于双拓扑角态的二次谐波产生装置和方法，采用具有相同能带结构但体极化相反的内层拓扑光子晶体和外层拓扑光子晶体组成用于二次谐波产生的拓扑光子晶体结构。内层拓扑光子晶体和外层拓扑光子晶体的区域边界为正三角形，在最近邻相互作用和长程相互作用下，正三角形区域的三个顶点附近出现高Q值的I型拓扑角态和II型拓扑角态，并使II型拓扑角态的本征频率为I型角态的本征频率的两倍。当照射在内层拓扑光子晶体上的光功率密度达到并超过二次谐波产生阈值时，I型角态和II型角态间将发生非线性相互作用，从而将II

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116382013 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310248551.9 (22)申请日 2023.03.15 (71)申请人 华南理工大学 地址 510640

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