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本发明公开了一种陶瓷混压电路板的制作方法,所述方法包括以下流程:第一基板开料→烘板→内光成像→内层蚀刻→内层AOI→内层钻靶→控深铣→埋陶瓷基板→树脂填空→固化→陶瓷基板保护→树脂打磨,其中,控深铣其控深深度比陶瓷基板四周至少大0.15mm,陶瓷基板内埋后,高度要低于第一基板的板面,防止压合时陶瓷基板受力。本发明通过局部封装区域使用陶瓷材料,其它区域使用FR‑4高TG材料以此来混压,在满足了封装区域高热导率的同时,提高了高密度组装下绝缘性好、高频损耗小的良好特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113811086 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111016555.1
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 信丰迅捷兴电路科技有限公司
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