一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-05 发布于四川
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一种采用化学蚀刻裸露第一导电区的背接触异质结太阳能电池制造方法.pdf

本发明涉及一种背接触异质结太阳能电池制造方法,它包括步骤A,其具体工艺如下:步骤a1,在第一导电区依次设置第一导电型膜层和第一绝缘层;步骤a2,在经步骤a1处理后的半导体基板的第一主面上依次设置第二导电型膜层和第二保护层;步骤a3,在需要保留第二导电型膜层区域的第二保护层表面设置第二抗腐蚀层;步骤a4,先采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二保护层,再采用化学蚀刻方式除去裸露在外的第二导电型膜层和第二抗腐蚀层;步骤a5,采用化学蚀刻方式除去剩余第二保护层和裸露在外的第一绝缘层。本发明的目的在于提供一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809188 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202111070161.4 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 福建金石能源有限公司

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