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- 2023-07-05 发布于四川
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本发明公开了一种去除光刻胶的方法，包括等离子体去胶步骤，所述等离子体去胶步骤具体为：将O2与SF6的混合气体激发为等离子体并去除其中的带电粒子，所述混合气体中SF6的体积占比小于20%；然后用所生成的电中性粒子与光刻胶反应以去除光刻胶。本发明采用20%以内的SF6作为等离子体去胶工艺中的辅助气体，并将所生成等离子体中的带电粒子去除，一方面所产生的中性粒子不会对半导体产生电荷损伤，另一方面可快速有效的清除光刻胶及晶圆上的有机沾污，光刻胶的清除效率远远超出常规氧气与碳系氟化物辅助气体的组合。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113805442 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111072037.1
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 苏州长瑞光电有限公司
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